SI4178DY-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Без олово / RoHS съвместим
Дискретни полупроводникови продукти
SI4178DY-T1-E3.pdf

част # SI4178DY-T1-E3 е налична, вижте описанието на SI4178DY-T1-E3, както е показано по-долу.
използвайте формуляра за заявка за заявка, за да поискате SI4178DY-T1-E3 цена и време за изпълнение.
Купи електронни компоненти на zeanoit.com. Ние сме независим дистрибутор на електронни компоненти с обширни складови наличности.
Цената и срокът за SI4178DY-T1-E3 зависят от необходимото количество, наличност и местоположение на склад. Свържете се с нас днес и нашият екип по продажбите ще ви изпрати котировка скоро.
Имейл: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимум:1; Комбинации:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Спецификации
Отзиви
плащане
Доставка
Опаковка

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.8V @ 250µA
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:	8-SO
серия:	TrenchFET®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	21 mOhm @ 8.4A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):	2.4W (Ta), 5W (Tc)
Опаковка:	Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:	Surface Mount
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:	405pF @ 15V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:	12nC @ 10V
Тип FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):	30V
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:	12A (Tc)