SI4562DY-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Без олово / RoHS съвместим
Дискретни полупроводникови продукти
SI4562DY-T1-E3.pdf

част № SI4562DY-T1-E3 Това често използвана част? : Да
Доставя се от: HK или склад в Сингапур
Същият модел може да има множество партиди, изображения само за справка.
ECAD модели: Свържете се с нас, за да получите
Имейл: sales@zeanoit.com

Request Quote

Спецификации
Отзиви
плащане
Доставка
Опаковка

Vgs (th) (Max) @ Id:	1.6V @ 250µA
Пакет на доставчик на устройства:	8-SO
серия:	TrenchFET®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Мощност - макс:	2W
Опаковка:	Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:	Surface Mount
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:	-
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:	50nC @ 4.5V
Тип FET:	N and P-Channel
FET Feature:	Logic Level Gate
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):	20V
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:	-

Ако имате грешни компоненти, което не е поръчано. Ще проучим кой ще поеме отговорност по въпроса.

Ако това е наше, ние ще доставим правилните компоненти за обменни стоки, след като получихме грешни компоненти, изпращащи обратно.

Ако е ваш, клиентът ще поеме отговорност за това. За подробности, моля, свържете се с нашите обслужване на клиенти или продажби.

SI4562DY-T1-E3

Request Quote

Процес на пазаруване

Свързани продукти

Предполагам, че може да търсите