Сметка Излез от профила си

Заявете оферта

Заявка за оферта

SI4590DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Без олово / RoHS съвместим
Дискретни полупроводникови продукти
SI4590DY-T1-GE3.pdf

част № SI4590DY-T1-GE3 Това често използвана част? : Да
Доставя се от: HK или склад в Сингапур
Същият модел може да има множество партиди, изображения само за справка.
ECAD модели: Свържете се с нас, за да получите
Имейл: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимум:1; Комбинации:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Цена
2500	$0.368
5000	$0.343
12500	$0.33

Процес на пазаруване

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

Спецификации
Отзиви
плащане
Доставка
Опаковка

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
Пакет на доставчик на устройства:	8-SO
серия:	TrenchFET®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	57 mOhm @ 2A, 10V
Мощност - макс:	2.4W, 3.4W
Опаковка:	Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:	Surface Mount
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:	360pF @ 50V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:	11.5nC @ 10V
Тип FET:	N and P-Channel
FET Feature:	-
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):	100V
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:	3.4A, 2.8A

Ако имате грешни компоненти, което не е поръчано. Ще проучим кой ще поеме отговорност по въпроса.

Ако това е наше, ние ще доставим правилните компоненти за обменни стоки, след като получихме грешни компоненти, изпращащи обратно.

Ако е ваш, клиентът ще поеме отговорност за това. За подробности, моля, свържете се с нашите обслужване на клиенти или продажби.