SI5935CDC-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Без олово / RoHS съвместим
Дискретни полупроводникови продукти
SI5935CDC-T1-GE3.pdf

1. Моля, потвърдете Детайла, който включва частта номер и производителя на продуктите при поръчка.
2.Ако имате списък на материала (BOM) списък изисква да quote.you може да изпрати на нашия имейл.
3.Можете да ни изпратите имейл, за да промените данните за поръчката преди изпращането.
4.Предложенията не могат да бъдат анулирани след изпращане на пакетите.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимум:1; Комбинации:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Цена
3000	$0.195
6000	$0.183
15000	$0.17
30000	$0.161

Спецификации
Отзиви
плащане
Доставка
Опаковка

Vgs (th) (Max) @ Id:	1V @ 250µA
Пакет на доставчик на устройства:	1206-8 ChipFET™
серия:	TrenchFET®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Мощност - макс:	3.1W
Опаковка:	Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:	8-SMD, Flat Lead
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:	Surface Mount
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:	455pF @ 10V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:	11nC @ 5V
Тип FET:	2 P-Channel (Dual)
FET Feature:	Standard
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):	20V
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:	4A