IPD50R3K0CEBTMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
Без олово / RoHS съвместим
Дискретни полупроводникови продукти
IPD50R3K0CEBTMA1.pdf

част # IPD50R3K0CEBTMA1 е налична, вижте описанието на IPD50R3K0CEBTMA1, както е показано по-долу.
използвайте формуляра за заявка за заявка, за да поискате IPD50R3K0CEBTMA1 цена и време за изпълнение.
Купи електронни компоненти на zeanoit.com. Ние сме независим дистрибутор на електронни компоненти с обширни складови наличности.
Цената и срокът за IPD50R3K0CEBTMA1 зависят от необходимото количество, наличност и местоположение на склад. Свържете се с нас днес и нашият екип по продажбите ще ви изпрати котировка скоро.
Имейл: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимум:1; Комбинации:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Цена
2500	$0.169
5000	$0.158
12500	$0.148
25000	$0.14
62500	$0.137

Спецификации
Отзиви
плащане
Доставка
Опаковка

Vgs (th) (Max) @ Id:	3.5V @ 30µA
Vgs (макс):	±20V
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:	PG-TO252-3
серия:	CoolMOS™ CE
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:	3 Ohm @ 400mA, 13V
Разсейване на мощност (макс.):	18W (Tc)
Опаковка:	Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:	Surface Mount
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:	84pF @ 100V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:	4.3nC @ 10V
Тип FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):	13V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):	500V
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:	1.7A (Tc)